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等离子清洗机YP-20

屹东YP-20等离子清洗机主要用于样品清洗或真空腔体的清洗。用途非常广泛,其可搭的配拓展设备包括但不限于:SEM、FIB、NanoProbe、TEM及其他各类真空腔体。

所属分类:

附件/附属设备

核心优势

  • 新型电感耦合技术(ICP)产生等离子体,粒子密度远高于传统的电容耦合技术(CCP)
  • 产生的高浓度氧自由基可高效去除样品表面碳氢污染物
  • “DOWNSTREAM”清洗方式对样品无损伤,表面原始形貌被完整保持
  • 工作气压范围:0.01-500Pa,不破坏被清洗腔室的高真空
  • 集成式软件控制,一键点击清洗,无需用户过多操作

用户界面

  • 产品描述
  • 用户界面
  • 性能参数
  • 应用案例
    • 商品名称: 等离子清洗机YP-20

    屹东YP-20等离子清洗机主要用于样品清洗或真空腔体的清洗。用途非常广泛,其可搭的配拓展设备包括但不限于:SEM、FIB、NanoProbe、TEM及其他各类真空腔体。

    • 新型电感耦合技术(ICP)产生等离子体,粒子密度远高于传统的电容耦合技术(CCP)
    • 产生的高浓度氧自由基可高效去除样品表面碳氢污染物
    • “DOWNSTREAM”清洗方式对样品无损伤,表面原始形貌被完整保持
    • 工作气压范围:0.01-500Pa,不破坏被清洗腔室的高真空
    • 集成式软件控制,一键点击清洗,无需用户过多操作
  • ​​​​​​

    • 直接安装于高真空腔室的接口上无需特殊固定工具

     

    • 可预设清洗流程,远程操控

     

    • 用户友好型操作界面,内置不同种类样品常用清洗设置

     

    • 样品室和样品均可被清洗
  •  

    等离子体源参数 控制柜参数
    功率 5-100W 尺寸(长*宽*高) 428*290*116mm
    工作气压 0.01-100Pa 重量 6kg
    气体种类 Air,O2,Ar 电源要求

    110/220VAC,50、60Hz      射频频率:13.56MHz

    功率消耗:220VA       特征电阻:50Ω

    真空接口类型 KF40
    尺寸(长*宽*高) 205*104*104mm 通讯方式 以太网
    重量 2kg 软件 专用控制软件
  • 硅片样品

    清洗前:中心区域有明显积碳

    清洗后:积碳被清洗干净

性能参数

  • 产品描述
  • 用户界面
  • 性能参数
  • 应用案例
    • 商品名称: 等离子清洗机YP-20

    屹东YP-20等离子清洗机主要用于样品清洗或真空腔体的清洗。用途非常广泛,其可搭的配拓展设备包括但不限于:SEM、FIB、NanoProbe、TEM及其他各类真空腔体。

    • 新型电感耦合技术(ICP)产生等离子体,粒子密度远高于传统的电容耦合技术(CCP)
    • 产生的高浓度氧自由基可高效去除样品表面碳氢污染物
    • “DOWNSTREAM”清洗方式对样品无损伤,表面原始形貌被完整保持
    • 工作气压范围:0.01-500Pa,不破坏被清洗腔室的高真空
    • 集成式软件控制,一键点击清洗,无需用户过多操作
  • ​​​​​​

    • 直接安装于高真空腔室的接口上无需特殊固定工具

     

    • 可预设清洗流程,远程操控

     

    • 用户友好型操作界面,内置不同种类样品常用清洗设置

     

    • 样品室和样品均可被清洗
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    等离子体源参数 控制柜参数
    功率 5-100W 尺寸(长*宽*高) 428*290*116mm
    工作气压 0.01-100Pa 重量 6kg
    气体种类 Air,O2,Ar 电源要求

    110/220VAC,50、60Hz      射频频率:13.56MHz

    功率消耗:220VA       特征电阻:50Ω

    真空接口类型 KF40
    尺寸(长*宽*高) 205*104*104mm 通讯方式 以太网
    重量 2kg 软件 专用控制软件
  • 硅片样品

    清洗前:中心区域有明显积碳

    清洗后:积碳被清洗干净

应用案例

  • 产品描述
  • 用户界面
  • 性能参数
  • 应用案例
    • 商品名称: 等离子清洗机YP-20

    屹东YP-20等离子清洗机主要用于样品清洗或真空腔体的清洗。用途非常广泛,其可搭的配拓展设备包括但不限于:SEM、FIB、NanoProbe、TEM及其他各类真空腔体。

    • 新型电感耦合技术(ICP)产生等离子体,粒子密度远高于传统的电容耦合技术(CCP)
    • 产生的高浓度氧自由基可高效去除样品表面碳氢污染物
    • “DOWNSTREAM”清洗方式对样品无损伤,表面原始形貌被完整保持
    • 工作气压范围:0.01-500Pa,不破坏被清洗腔室的高真空
    • 集成式软件控制,一键点击清洗,无需用户过多操作
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    • 直接安装于高真空腔室的接口上无需特殊固定工具

     

    • 可预设清洗流程,远程操控

     

    • 用户友好型操作界面,内置不同种类样品常用清洗设置

     

    • 样品室和样品均可被清洗
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    等离子体源参数 控制柜参数
    功率 5-100W 尺寸(长*宽*高) 428*290*116mm
    工作气压 0.01-100Pa 重量 6kg
    气体种类 Air,O2,Ar 电源要求

    110/220VAC,50、60Hz      射频频率:13.56MHz

    功率消耗:220VA       特征电阻:50Ω

    真空接口类型 KF40
    尺寸(长*宽*高) 205*104*104mm 通讯方式 以太网
    重量 2kg 软件 专用控制软件
  • 硅片样品

    清洗前:中心区域有明显积碳

    清洗后:积碳被清洗干净